收藏本站
NTP75N06L, NTB75N06L
12000
6
10000
8000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
6000
4000
C rss
C iss
C oss
3
2
2000
C rss
1
I D = 75 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS 5
10
15 20
25
0
0
10
20
30
40
50
60
70
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DS = 30 V
I D = 75 A
80
70
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
60
100
t r
t f
50
40
30
t d(off)
20
10
10
t d(on)
0
1
10
100
0.6
0.64 0.68 0.72 0.76
0.8
0.84 0.86 0.92 0.96
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variations
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
V GS = 15 V
SINGLE PULSE
10 m s
1000
I D = 75 A
T C = 25 ° C
800
100
600
100 m s
1 ms
400
10
10 ms
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
200
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTP75N06 MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
NTP90N02G MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
NTQD6866R2G MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
NTQD6968N MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
NTQS6463R2 MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
NTR0202PLT1 MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23
NTR1P02LT3G MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
NTR1P02T1 MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
相关代理商/技术参数
NTP75N06L/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 60 Volts， Logic Level
NTP7N40/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 7 Amps， 400 Volts
NTP8000 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:韩国NeoFidelity公司系列：NTP-8010,NTP-8130,NTP-8230. Applications:PDPTV or LCDTV,docking station.mini Audio.
NTP8230 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Applications:1.PDP TV or LCD TV,2.dockingstation,3.Mini-Component-Audio Solution. datasheet:2 CH Stereo (30W x 2 @28V,8Ω)  2.1 channel (10W x 2 + 25W @24V,8Ω) tel:18928487876  Wide Operating Supply Voltage Range (7V to 28V)  3D surround
NTP85N03 功能描述:MOSFET 28V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP85N03G 功能描述:MOSFET 28V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP85N03RG 功能描述:MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTP85N08/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:80 V Power MOSFET